SUSTC-招标信息
重大项目采购需求公示

高通量薄膜制备系统项目采购需求公示

2021-01-12

(一)项目基本信息

项目名称

高通量薄膜制备系统

采购预算(元)

3985万

是否接受进口设备

(二)货物清单

序号

设备名称

数量

单位

1

高通量离子束溅射薄膜制备系统

1

2

高通量热蒸发薄膜制备系统

2

3

高通量磁控溅射薄膜制备系统

1

4

高通量等离子体化学气相沉积薄膜制备系统

1

(三)商务需求

序号

商务需求

1

交货期的要求:签订合同后【300】天内,具体时间根据学校要求提前天【10】通知送货。

2

质保期: 1年

3

付款方式:合同生效并收到相应发票后支付合同总额的30%作为进度款;每套设备到达指定安装现场且安装、调试验收合格并提供该套设备全额发票后支付该设备价款的65%;余款5%待质保期满且无质量问题并经学校确认后支付。

(四)技术需求

序号

设备名称

技术参数或功能要求

数量

单位

备注

1

 

高通量离子束溅射薄膜制备系统

  1. 工艺腔基础真空度优于7.5E-8 torr。

1

 

  1. 利用带聚焦功能的离子束溅射系统可制备多元合金薄膜。
  1. ★采用孔径3 mm RF射频离子源;离子源必需配备聚焦透镜模块,保证出射离子束的聚焦和准直性。
  1. ▲通过薄膜厚度的控制,实现成分连续性分布,成分范围0-100%可控,分辨率可达到0.1%。
  1. ★靶材自动切换,切换时间小于2分钟。
  1. ▲可进行等边三角形沉积,边长尺度≦1英寸 (25mm);在1英寸等边三角形区域沉积中单层薄膜厚度精度±5%。
  1. 工艺腔内靶材的冷却到室温。
  1. 工艺腔内基片的冷却到室温。
  1. ▲热处理装置范围室温至400℃,精度≤±2℃@400℃。
  1. 热处理基础真空度优于5E-7 torr。
  1. 换样腔基础真空度优于5E-6 torr。

1

 

  1. 换样腔具有基片溅射清洗系统。
  1. 样品过渡腔基础真空度优于5E-7 torr。

1

 

  1. ▲样品过渡腔使用真空全自动机械手,在真空环境下实现对靶材的取送与转运。
  1. 换靶腔真空度优于5E-7 torr。

1

 

1.16  ▲换靶腔使用真空全自动机械手,在真空环境下实现对靶材的取送与转运。

  1. ▲储靶腔基础真空度优于5E-8 torr。

1

 

  1. ★储靶腔靶位数量≥40个。

1.19  ▲储靶腔的靶材的升降和旋转自动化系统。

  1. 高通量掩模装置移动精度≤10微米,最大移动速度1.5mm/s。

1

 

1.21  连续掩膜满足 10E-8 torr 真空设计要求。

  1. 保证镀膜机运行和工艺要求的实现,确定系统各个电气设备的运作顺序和运行状态,使系统自动、连续、高效、稳定、可靠的运行

1

 

  1. PLC对系统具备如下保护功能:
  2. 真空系统自锁,
  3. 各真空内的机械传动系统的限位,
  4. 离子源系统的保护
  5. 真空系统保护,

1.28  报警 :失水, 失气, 过压, 过流 ,温度。

  1. 用户权限控制

2

 

高通量热蒸发薄膜制备系统

  1. 工艺腔真空度优于5E-8 Torr

2

 

  1. 基片直径 ≥ 4 inch,镀膜膜厚均匀性优于±3%
  1. 电控气动真空阀,全量程真空规
  1. 材料基因芯片制备过程操作模式:手动、自动、和维护
  1. ▲可以制备3元及以上组合材料芯片,三元及三元以上连续镀膜材料基因芯片,三元及三元以上阶梯镀膜材料基因芯片,样品制备速率优于10小时/芯片
  1. 抽真空系统:低温泵和离子泵,各腔体之间使用高真空插板阀连接;机械真空泵和腔体使用电控气动真空阀连接
  1. ▲可在真空状态下更换蒸发源
  1. 基片背底加热温度≤400℃,精度≤±1℃@400℃
  1. 膜厚监测、残余气体分析
  1. 连续掩膜使用314不锈钢制造,元件表明进行抛光,满足10^-8 torr 真空设计要求

2

 

  1. ▲连续掩膜步进精度≤20μm,移动速度:0-1.5 mm/s 可调
  1. 连续掩膜成分分布连续,0-100%成分分布范围可控
  1. 连续掩膜分辨率可达0.1%
  1. ★含1套固定掩膜装置
  1. ▲样品台旋转角度0-360°,样品台旋转精度≤0.0005°

2

 

  1. ▲分立掩膜掩模转角定位精度≤0.0005°
  1. ▲分立掩膜掩模中心定位精度≤10 μm
  1. 分立掩膜单个沉积微区边长≤1mm,组合通量 ≥ 200
  1. ▲分立掩膜掩膜板尺寸可以根据需求在1-4英寸之间变化
  1. ★分立掩膜系统掩膜板数量可以根据需要增加   
  1. ▲加料过程不打破工艺腔真空

2

 

  1. ▲加料过程全部在惰性气体环境中完成
  1. 惰性气体环境条件:水含量≤ 1ppm,氧含量≤1 ppm
  1. ▲样品过渡腔真空度优于5E-9Torr

2

 

  1. ▲样品过渡腔样品定位精度 ≤ 1μm
  1. 样品过渡腔材料基因芯片转移自动化
  1. 换样腔真空度优于5E-6 Torr

2

 

  1. 换样腔自动向转移腔取送样品
  1. 换样腔样品溅射清洗
  1. 手套箱水含量≤ 1ppm,

2

 

  1. 手套箱氧含量≤1 ppm
  1. 手套箱泄漏率< 0.001 vol%/h
  1. 制备工艺使用PLC+触摸屏实现自动化控制

2

 

  1. 控制模块化
  1. 平板显示器,显示系统运行的状态、数据、和警告
  1. 记录所有系统自动运行时的数据,工艺数据采集频率 < 1秒
  1. 系统文件:一个包含系统文件U盘 (操作手册,机械图,电路图)
  1. 自动工艺程序创建和编辑
  1. 保护报警:1)真空系统自锁;2) 各真空腔内的机械传动系统的限位;  3) 真空系统保护;4) 报警 :失水, 失气, 过压, 过流 ,温度
  1. 电控系统:3相电源的输入,紧急停止保护;
  1. 用户权限控制

3

高通量磁控溅射薄膜制备系统

  1. 工艺腔真空度优于5E-7 Torr,镀膜工艺气压控制通过调节插板阀开合实现

1

 

  1. 基片直径 ≥ 3 inch,膜厚均匀性优于±3%
  1. 电控气动真空阀,全量程真空规
  1. 材料基因芯片制备过程操作模式:手动、自动、和维护
  1. 5元复杂材料体系高通量组合制备,三元及三元以上连续镀膜材料基因芯片,三元及三元以上阶梯镀膜材料基因芯片
  1. 抽真空系统:各腔体之间使用高真空插板阀连接;机械真空泵和分子泵使用电控气动真空阀连接
  1. 单层薄膜厚度可控0.5nm; 样品制备速率优于10小时/片
  1. 使用PLC实现系统自动控制
  1. 电控系统:1) 3相电源的输入和控制;2)真空系统自锁; 3)各真空腔内的机械传动系统的限位; 4)真空系统保护; 5)报警 :失水, 失气, 过压, 过流 ,温度
  1. 工艺腔安装在可调水平的整体框架上
  1. 连续掩膜使用316不锈钢制造,元件表明进行抛光,满足10^-7 torr 真空设计要求

1

 

  1. ▲连续掩膜步进精度≤20μm,移动速度:0-1.5 mm/s 可调
  1. 连续掩膜成分分布连续,0-100%成分分布范围可控
  1. 连续掩膜分辨率可达0.1%
  1. ▲样品台旋转角度0-360°,样品台旋转精度≤0.0005°

1

 

  1. ▲分立掩膜掩模转角定位精度≤0.0005°
  1. ▲分立掩膜掩模中心定位精度≤10 μm
  1. 分立掩膜单个沉积微区边长≤1mm,组合通量 ≥ 200
  1. ▲分立掩膜掩膜板尺寸可以根据需求在1-4英寸之间变化
  1. ★分立掩膜系统掩膜板数量可以根据需要增加   
  1. 样品过渡腔真空度优于5E-9Torr

1

 

  1. ▲样品过渡腔样品定位精度 ≤ 1μm
  1. 样品过渡腔材料基因芯片转移自动化
  1. 样品过渡腔具有样品和芯片存储功能
  1. 换样腔真空度优于5E-6 Torr

1

 

  1. 换样腔自动向转移腔取送样品
  1. 换样腔基片溅射清洗
  1. 手套箱水含量≤ 1ppm

1

 

  1. 手套箱氧含量≤1 ppm
  1. 手套箱泄漏率< 0.001 vol%/h
  1. 制备工艺使用PLC+触摸屏实现自动化控制

1

 

  1. 控制模块化
  1. 平板显示器,显示系统运行的状态、数据、和警告
  1. 记录所有系统自动运行时的数据,工艺数据采集频率 < 1秒
  1. 系统文件:一个包含系统文件U盘 (操作手册,机械图,电路图)
  1. 自动工艺程序创建和编辑
  1. 用户权限控制
  1. ▲溅射源角度可调   

5

 

  1. ▲溅射源和晶圆间距可调
  1. 磁控溅射源防止交叉污染的挡板和电控气动挡板
  1. ▲溅射源配直流电源和射频电源

4

高通量等离子体化学气相沉积薄膜制备系统

4.1      工艺腔基础真空度优于5E-7 Torr

1

 

  1. ▲真空气压实现自动控制
  1. 基片直径 ≥ 6 inch
  1. ★包含射频和微波两种等离子体
  1. ▲微区等离子体直径 ≤ 1cm
  1. ▲微区温度均匀区域≥6mm
  1. ▲设计反应气氛外溢约束装置,控制气体流场导向,使化学气相沉积反应局域可控;
  1. ★通过对样品台的 X-Y-Z 方向的精确控制,结合微区加热和微区等离子体沉积,通过编程智能化控制,在同一基底上实现分立组份的高通量 CVD 的工艺筛选
  1. ▲材料芯片制备过程自动化
  1. ▲气浮隔振光学平台:平面度< 0.05mm/m2,
  2. 表面粗糙度:< 0.8μm,振幅:< 1μm;荷载能力:800kg/m2;重复定位精度:±0.05mm

1

 

  1. 半导体激光器:功率稳定性± 0.5% p-p;光学噪声< 0.5% rms, 10 Hz - 2 MHz;
  1. 3维移动平台:行程精度 < ± 10 μm
  1. ▲大功率激光源:功率>1kw; 功率稳定性5%@4小时
  1. ▲干涉仪温度控制系统,恒温控制+0.1°c
  1. 换样腔真空度优于5E-6 Torr

1

 

  1. 换样腔自动向转移腔取送样品
  1. 换样腔样品溅射清洗
  1. ▲按国家和国际标准存储和传输有毒气体

1

 

  1. 气体传输装置 ≥ 5路
  1. ★固体微波源,功率400W, 功率连续可调

1

 

  1. ▲微波应用波导产生等离子体
  1. ▲微波射流等离子体直径 < 5mm
  1. 样品过渡腔真空度优于5E-9 Torr

1

 

  1. 样品过渡腔样品定位精度 ≤ 20μm
  1. 样品过渡腔材料基因芯片转移自动化
  1. ▲记录所有系统自动运行时的工艺参数数据,工艺数据采集频率 < 0.2s

1

 

  1. a)制备工艺使用PLC+触摸屏实现自动化控制;b)控制模块化;c)提供控制软件
  1. 各种操作模式:手动、自动、和维护
  1. 通过用户提供的网络可实现远程数据传送
  1.  带平板显示器,显示系统运行的状态、数据、和警告
  1.  电控系统:a) 3相电源的输入和控制;b)真空系统自锁; c)各真空腔内的机械传动系统的限位; d)电子束蒸发源系统的保护; e)真空系统保护; f)报警 :失水, 失气, 过压, 过流 ,温度
  1. 用户权限控制

(五)公示期限

2021年1月12日至2021年1月19日

对公示内容有异议,认为技术参数含有倾向、限制或者排斥潜在投标供应商等有违公平竞争的,请在公示期内以书面形式将意见反馈至采购人。针对同一采购程序环节的质疑须在法定质疑期内一次性提出。

采购需求不等同于正式发布的采购文件,重大项目需求公示仅接受对采购需求的质疑,不受理项目咨询。

质疑投诉邮箱:zhaobzyts@sustech.edu.cn