项目名称

材料基因芯片制备工艺模块等设备采购

采购预算（元）

630万元

是否接受进口设备

否

序号

设备名称

数量

单位

1

材料基因芯片制备工艺模块

1

套

2

连续掩膜模块

1

套

3

分立掩膜模块

1

套

4

多元材料电子束蒸发源

1

套

5

材料基因芯片转移过渡腔

1

套

6

多样品超高真空更换模块

1

套

7

多靶材更换模块

1

套

序号

商务需求

1

交货期的要求：签订合同后120天内。

2

质保期：1年

3

付款方式：合同生效并收到相应发票后支付合同总额的30%作为进度款；设备到达指定安装现场且安装、调试验收合格并提供全额发票后支付合同总额的65%；余款5%待质保期满且无质量问题并经学校确认后支付

序号

设备名称

技术参数或功能要求

1

材料基因芯片制备工艺模块

1. 基础真空度优于5E-8 Torr。

1.2基片直径 ≥ 4 inch，膜厚均匀性优于±3%

1.3电控气动真空阀，全量程真空规

1.4 材料基因芯片制备过程操作模式：手动、自动、和维护

1.5▲可以制备5元及以上组合材料芯片，三元及三元以上连续镀膜材料基因芯片，三元及三元以上阶梯镀膜材料基因芯片

1.6抽真空系统：低温泵和离子泵，各腔体之间使用高真空插板阀连接；机械真空泵和腔体使用电控气动真空阀连接

1.7系统文件：一个包含系统文件U盘 (操作手册，机械图，电路图)

1.8▲系统电控和自动控制：1 )制备工艺使用PLC+触摸屏实现自动化控制；2)控制模块化；3)提供控制软件；4）带平板显示器，显示系统运行的状态、数据、和警告；5）记录所有系统自动运行时的数据，工艺数据采集频率 < 1s

1.9电控系统：1) 3相电源的输入和控制;2)真空系统自锁; 3)各真空腔内的机械传动系统的限位; 4)电子束蒸发源系统的保护； 5）真空系统保护; 6)报警 ：失水， 失气， 过压，过流 ，温度

2

连续掩膜模块

2.1使用314不锈钢制造，元件表面进行抛光，满足10^-8 torr 真空设计要求

2.2▲步进精度≤10μm，移动速度：0~2.5 mm/s 可调

2.3成分分布连续，0-100%成分分布范围可控

2.4▲分辨率可达0.1%

2.5 ★含1套固定掩膜装置

3

分立掩膜模块

3.1▲样品台旋转角度0-360°，样品台旋转精度≤0.0002°

3.2▲掩模转角定位精度≤0.0002°

3.3▲掩模中心定位精度≤10 μm

3.4单个沉积微区边长≤1mm，组合通量 ≥ 200

3.5▲掩膜板尺寸可以根据需求在1-4英寸之间变化

3.6▲系统掩膜板数量可以根据需要增加   

4

多元材料电子束蒸发源

4.1功率≥6 kW，

4.2连续蒸发材料种类 ≥ 6

4.3单层薄膜最小厚度1 nm的连续沉积

4.4膜厚均匀性优于±3%

4.5▲ UHV电子束蒸发源

5

材料基因芯片转移过渡腔

5.1▲真空度优于5E-10 Torr

5.2▲样品定位精度 ≤ 1μm

5.3材料基因芯片转移自动化

6

多样品超高真空更换模块

6.1真空度优于5E-6 Torr

6.2自动向转移腔取送样品

6.3 样品溅射清洗

7

多靶材更换模块

7.1水含量≤ 1ppm，

7.2氧含量≤1 ppm

7.3泄漏率< 0.001 vol%/h

7.4 ★机械手更换蒸发材料